钝化界面植氢优化的碲镉汞中波红外探测芯片

• 作者: 丁瑞军 何力 冯婧文 叶振华 尹文婷 廖清君 林春 胡晓宁 陈洪雷 陈路 黄建
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: HgCdTe 钝化界面 等离子体植氢 暗电流
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 260-262,267
• 分类号: TN305.7|TN304.2+5
• 字数: 2287字
• 语种: 中文

摘要

报道了在钝化界面进行低能等离子体植氢优化的n+-on-p碲镉汞(HgCdTe)中波(MW,mid-wavelength)光伏红外探测芯片的研究成果.基于由采用分子束外延技术生长的HgCdTe薄膜材料,通过注入阻挡层的生长、注入窗口的光刻、形成光电二极管的B+注入、钝化介质膜的生长、优化钝化界面的等离子体植氢、金属化和铟柱列阵的制备等工艺,得到了钝化界面植氢优化的HgCdTe中波红外探测芯片.从温度为78K的电流与电压(I-V)和动态阻抗与电压(R-V)特性曲线中,发现钝化界面植氢优化的HgCdTe红外中波探测芯片的光电二极管开启电压比未经过植氢处理的增加了50mV左右,零偏与反偏动态阻抗提高了10倍,且正向串连电阻也明显减小.这表明钝化界面等离子体植氢处理可以抑制HgCdTe中波光电二极管的暗电流和优化探测芯片的欧姆接触,从而能提高中波红外焦平面探测器的探测性能.