掺砷碲镉汞的光致发光光谱和电学性质

• 作者: 何力 张小华 林铁 褚君浩 郭少令 陈路
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 地球科学
• 关键词: 碲镉汞 光致发光 载流子浓度
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 页码范围: 407-410
• 页数: 4页
• 分类号: N8
• 字数: 2861字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1010.2012.00407

摘要

碲镉汞的电学性能和光学性能直接决定探测器性能.对窄禁带掺砷碲镉汞进行了11 ～ 300 K的红外光致发光光谱和变温霍尔测量.对变温光致发光光谱进行了拟合分析,结果表明经通用的两步退火,样品不仅存在砷占碲位(AsTe)、汞空位(VHg)和TeHg-VHg对,还存在碲反位(TeHg).掺杂浓度越大,退火产生的TeHg-VHg对越多.变温霍尔分析进一步证明通用的两步退火后材料中存在TeHg,TeHg留在材料中使迁移率减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何力	中国科学院上海技术物理研究所材料器件国防实验室	54	417	13.0	17.0
2	褚君浩	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	103	650	13.0	22.0
4	林铁	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	5	10	1.0	3.0
5	郭少令	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	9	33	3.0	5.0
8	陈路	中国科学院上海技术物理研究所材料器件国防实验室	14	27	4.0	4.0
9	张小华	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	4	9	2.0	3.0