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摘要:
采用椭圆偏振光谱技术研究了射频磁控溅射生长非晶态碲镉汞(amorphous Hg1-xCdxTe,amorphous MCT,a-MCT)薄膜的光学性质,发现非晶态碲镉汞薄膜的介电函数谱特征与晶态碲镉汞材料的明显不同,表现出与其他非晶态半导体材料类似的“波包”结构特征.基于修正的FB模型在1.0~4.0 eV的能量范围内对实验结果进行了拟合分析,得到了不同组分非晶态碲镉汞薄膜的光学带隙随组分关系.通过与单晶碲镉汞光学带隙随组分变化关系的对比研究,结果表明碲镉汞的结构从晶态向非晶态转变过程中,材料的光学待续发生了明显的“蓝移”.
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非晶态碲镉汞
射频磁控溅射
光学带隙
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文献信息
篇名 非晶态碲镉汞的光学性质
来源期刊 红外技术 学科 工学
关键词 非晶态碲镉汞 椭圆偏振光谱 光学性质
年,卷(期) 2012,(3) 所属期刊栏目 材料与器件
研究方向 页码范围 140-145
页数 分类号 TN219
字数 8490字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.03.003
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 姬荣斌 50 200 7.0 10.0
2 李雄军 24 68 4.0 7.0
3 孔金丞 26 70 4.0 6.0
4 王光华 11 72 4.0 8.0
5 孔令德 12 37 4.0 4.0
6 杨丽丽 8 40 4.0 6.0
7 赵俊 19 57 4.0 6.0
8 张鹏举 6 16 3.0 3.0
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红外技术
月刊
1001-8891
53-1053/TN
大16开
昆明市教场东路31号《红外技术》编辑部
64-26
1979
chi
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13
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30858
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