非晶态碲镉汞的暗电导率和吸收边

• 作者: 姬荣斌 孔令德 孔金丞 张鹏举 李雄军 杨丽丽 杨佩原 王光华 赵俊
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: 非晶态碲镉汞 电导率 吸收边
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 268-271
• 分类号: TN215
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.05.005

摘要

研究了非晶态碲镉汞(x=0.2)薄膜的暗电导率随温度变化关系,发现非晶态结构的碲镉汞材料具有明显的半导体特性,其室温禁带宽度在0.88～0.91 eV之间,与通过光学方法获得的结果相符.在80～240K的温度区间非晶态碲镉汞(x=0.2)的暗电导率从1×10-8Ω-1·cm-1缓慢增大到5×10- 8Ω-1-cm-1,温度大于240K时,其电导率剧烈增大到1×10-5Ω-1·cm-1,说明在240K附近非晶态碲镉汞材料的导电机制发生了变化,这对非晶态碲镉汞材料的应用研究具有重要意义.还研究了退火过程对非晶态碲镉汞薄膜电导率的影响,结果表明140℃退火后非晶态碲镉汞薄膜发生了部分晶化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姬荣斌		50	200	7.0	10.0
2	李雄军		24	68	4.0	7.0
3	孔金丞		26	70	4.0	6.0
4	王光华		11	72	4.0	8.0
5	孔令德		12	37	4.0	4.0
6	杨丽丽		8	40	4.0	6.0
7	赵俊		19	57	4.0	6.0
8	张鹏举		6	16	3.0	3.0
9	杨佩原		3	9	2.0	3.0