退火对非晶态碲镉汞薄膜微结构和光敏性的影响

• 作者: 余连杰 姬荣斌 孔令德 孔金丞 李悰 李雄军 杨丽丽 王光华 邱锋
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 非晶态碲镉汞 (a-MCT) 退火 双体相关函数 光敏性
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 255-258
• 分类号: O742
• 字数: 1719字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2010.05.002

摘要

对射频磁控溅射生长的非晶态碲镉汞(a-MCT)薄膜在真空状态下进行退火,并通过X射线衍射(XRD)技术指出原生及低于125℃退火后的MCT薄膜均为非晶态.采用双体相关函数g(r)和电学测试系统研究了退火对a-MCT薄膜微结构和光敏性的影响.结果表明:经110℃,115℃和120℃退火后的a-MCT薄膜短程有序畴Rs由退火前的13.9 分别增大至17.9 、20.8 和26.2 ;光敏性则由原来的1.17,分别增加至退火后的2.01、2.67和4.25.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姬荣斌		50	200	7.0	10.0
2	李雄军		24	68	4.0	7.0
3	孔金丞		26	70	4.0	6.0
4	王光华		11	72	4.0	8.0
5	余连杰		24	105	6.0	8.0
6	孔令德		12	37	4.0	4.0
7	杨丽丽		8	40	4.0	6.0
8	邱锋		1	4	1.0	1.0
9	李悰		1	4	1.0	1.0