分子束外延HgCdTe薄膜As掺杂P型激活研究

• 作者: 于梅芳 何力 吴俊 巫艳 徐非凡 陈路
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 砷掺杂 退火 分子束外延 碲镉汞
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 页码范围: 81-83
• 页数: 3页
• 分类号: TN3
• 字数: 626字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2005.02.001

摘要

报道了利用As4作为掺杂源获得原位As掺杂MBE HgCdTe材料的研究结果.利用高温退火技术激活As使其占据Te位形成受主.对原位As掺杂MBE HgCdTe材料进行SIMS及Hall测试,证实利用原位As掺杂及高温退火可获得P型MBE HgCdTe材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐非凡	中科院上海技术物理研究所半导体材料器件研究中心	2	10	2.0	2.0
2	吴俊	中科院上海技术物理研究所半导体材料器件研究中心	2	10	2.0	2.0
3	巫艳	中科院上海技术物理研究所半导体材料器件研究中心	2	10	2.0	2.0
4	陈路	中科院上海技术物理研究所半导体材料器件研究中心	2	10	2.0	2.0
5	于梅芳	中科院上海技术物理研究所半导体材料器件研究中心	2	10	2.0	2.0
6	何力	中科院上海技术物理研究所半导体材料器件研究中心	2	10	2.0	2.0