HgCdTe分子束外延In掺杂研究

• 作者: 乔怡敏 于梅芳 何力 巫艳 王善力 陈路
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 分子束外延 HgCdTe In掺杂
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 页码范围: 174-178
• 页数: 5页
• 分类号: TN21
• 字数: 2944字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2001.03.004

摘要

报道了用MBE方法生长掺In的n型HgCdTe材料的研究结果.发现In 作为n型施主在HgCdTe中电学激活率接近100%,其施主电离激活能至少小于0.6meV.确认了在制备红外焦平面探测器时有必要将掺杂浓度控制在～3×1015cm-3水平.比较了高温退火前后In在HgCdTe中的扩散行为,得出在400℃温度下In的扩散系数约为10-14cm2/s,并确认了In原子作为HgCdTe材料的n型掺杂剂的可用性和有效性.