分子束外延生长3英寸HgCdTe晶片

• 作者: 乔怡敏 于梅芳 何力 吴俊 巫艳 杨建荣 陈路
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 分子束外延 HgCdTe 均匀性 缺陷 焦平面
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 67-70
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 3050字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2002.01.016

摘要

报道了用分子束外延的方法制备3英寸HgCdTe薄膜的研究结果,获得的HgCdTe外延材料均匀性良好,在直径70mm圆内,组份标准偏差率为1.2%,对应80K截止波长偏差仅为0.1μm.经过生长条件的改进,表面形貌获得了大幅度改善,缺陷密刃∮00cm-2,缺陷尺寸小于10μm,可以满足大规模HgCdTe焦平面列阵的应用需求.抖