分子束外延生长Hg1-χCdχTe材料原位退火研究

• 作者: 周旭昌 李全保 李艳辉 杨春章 苏栓 谭英 高丽华
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: 分子束外延(MBE) 原位退火 Hg1-χCdχTe 汞束流 电学性能
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 5-7
• 页数: 3页
• 分类号: TN215
• 字数: 2107字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.01.002

摘要

对分子束外延(MBE)生长了Hg1-χCdχTe薄膜材料进行原位退火研究.显微镜观察可知,原位退火可以得到光滑的材料表面,并可以降低材料的腐蚀坑密度(EPD).霍尔测试结果表明,通过调整退火温度和汞束流可以明显地改善Hg1-χCdχTe材料的电学性能.研究表明Hg1-χCdχTe材料的原位退火技术在改善材料的微观结构和电学性能方面有着重要的意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李艳辉		14	24	3.0	4.0
2	杨春章		8	12	2.0	3.0
3	苏栓		4	7	2.0	2.0
4	谭英		5	9	2.0	3.0
5	高丽华		4	7	2.0	2.0
6	李全保		7	13	3.0	3.0
7	周旭昌		8	18	2.0	3.0