射频分子束外延生长AlInGaN四元合金

• 作者: 王保柱 王晓亮
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 铝铟镓氮 分子束外延 结构特性 光学特性
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 559-562
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2213字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1077.2009.00559

摘要

利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石衬底上外延了铝铟镓氮(AlInGaN)四元合金,通过改变Al源的束流生长了不同组分的AlInGaN四元合金,材料生长过程中采用反射式高能电子衍射(RHEED)进行了在位检测. 通过扫描电镜(SEM)、卢瑟福背散射(RBS)、X射线衍射(XRD)和阴极荧光(CL)等测试手段表征了AlInGaN四元合金的结构和光学特性. 研究结果表明:在GaN层上生长AlInGaN外延层时,外延膜呈二维生长;当铝炉的温度为920℃时,外延AlInGaN四元合金外延薄膜中Al/In接近4.7,X射线衍射摇摆曲线的半高宽最小为5arcmin,四元合金的阴极荧光发光峰的半高宽为25nm,AlInGaN四元合金外延层具有较好的晶体质量和光学质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晓亮	中国科学院半导体研究所	38	212	9.0	12.0
2	王保柱	河北科技大学信息科学与技术学院	12	31	3.0	5.0