GaSb衬底上InAsSb材料的电学性能研究

• 作者: 姚官生 孙令 孙庆灵 曹先存 王文奇 王文新 王禄 贾海强 陈弘
• 来源期刊: 航空兵器
• 学科: 工学
• 关键词: InAsSb 电学性能 分子束外延
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 航空武器技术
• 页码范围: 59-61
• 页数: 3页
• 分类号: TN213
• 字数: 1634字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19297/j.cnki.41-1228/tj.2016.03.013

摘要

采用分子束外延(MBE)法在GaSb衬底上生长了不同组分的InAsSb外延膜.通过引入A1GaSb插层,实现对导电GaSb衬底上InAsSb材料电学性质的定性表征,并研究了生长温度和晶格失配对InAsSb外延层电学性能的影响.测试结果表明,在较低生长温度下获得的样品表面会形成缺陷,且其电学性能较差.对于一定晶格失配的样品,提高生长温度能获得较好的电学性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王文新	中国科学院物理研究所	15	50	4.0	6.0
2	陈弘	中国科学院物理研究所	18	99	5.0	9.0
3	姚官生		8	26	3.0	4.0
4	贾海强	中国科学院物理研究所	9	31	4.0	5.0
5	曹先存		4	2	1.0	1.0
6	孙令	中国科学院物理研究所	2	0	0.0	0.0
7	孙庆灵	中国科学院物理研究所	2	3	1.0	1.0
8	王禄	中国科学院物理研究所	1	0	0.0	0.0
9	王文奇	中国科学院物理研究所	1	0	0.0	0.0