PIN、NBP及NBN型InAsSb中波红外探测器光电性能研究

• 作者: 任洋 刘思佳 徐应强 牛智川 王国伟 郝瑞亭
• 来源期刊: 云南师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 分子束外延 InAsSb 中波 红外探测器
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 物理学与材料科学
• 页码范围: 44-49
• 页数: 6页
• 分类号: TB334
• 字数: 2079字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7699/j.ynnu.ns-2016-066

摘要

系统探索了GaSb(001)衬底上InAsSb体材料的分子束外延生长和PIN型、NBP型及NBN型InAsSb单元单色红外探测器的制备工艺,并对其光学、电学等相关物理特性进行了研究对比.PIN型InAsSb单元探测器的R0A为224 Ω·cm2(100K),77K下峰值探测率为3.6×1010cmHz1/2/W.NBN型和NBP型InAsSb单元探测器的R0A都达到了105Ω·cm2(100K)的量级,但NBN型比NBP型的R0A值更大,暗电流密度更低,77 K下峰值探测率分别为8.5×1012 cmHz1/2/W和2.4×108 cmHz1/2/W.最后制备完成了50％截止波长为3.8μm(PIN型)、3.4μm(NBP型)、2.6 μm(NBN型)的InAsSb单元探测器.