GaSb衬底上分子束外延生长的低温GaSb薄膜的低缺陷表面

• 作者: 任洋 刘思佳 徐应强 牛智川 王国伟 郝瑞亭 郭杰
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 低缺陷 锑化镓 原子力显微镜 Ⅴ/Ⅲ比
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 页码范围: 135-138
• 页数: 4页
• 分类号: TN21
• 字数: 1210字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2017.02.002

摘要

系统地研究了随着GaSb薄膜生长温度的降低,Sb/Ga (Ⅴ/Ⅲ)比的变化对薄膜低缺陷表面质量的影响.为了获得良好表面形貌的GaSb外延层,生长温度与Ⅴ/Ⅲ比均需要同时降低.当Sb源裂解温度为900℃时,生长得到低缺陷表面的低温GaSb薄膜的最佳生长条件是生长温度为在再构温度的基础上加60℃且Ⅴ/Ⅲ比为7.1.