GaSb薄膜生长的RHEED研究

• 作者: 刘国军 李林 李梅 王勇 王晓华
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaSb薄膜 反射式高能电子衍射仪 分子束外延 低温缓冲层 表面结构
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 页码范围: 139-142
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2516字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.032

摘要

采用分子束外延技术,在GaAs衬底上生长GaSb薄膜时,利用反射式高能电子衍射仪(RHEED)对衬底表面清洁状况、外延层厚度等进行在线监控.通过RHEED讨论低温缓冲层对GaSb薄膜表面结构和生长机制的作用,可以估算衬底温度,并能计算出薄膜的生长速率.实验测量GaSb的生长周期为1.96s,每秒沉积0.51单分子层.低温缓冲层提高了在GaAs衬底上外延GaSb薄膜的生长质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘国军	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	62	303	9.0	14.0
2	王勇	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	26	43	4.0	5.0
3	李林	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	30	177	8.0	12.0
4	王晓华	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	54	156	7.0	9.0
5	李梅	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	10	29	3.0	4.0