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摘要:
采用改进的快速推舟液相外延技术在GaAs衬底上成功地生长了GaSb量子点材料.通过原子力显微镜观测了不同生长参数下GaSb量子点材料的形貌(形状、尺寸、密度、尺寸分布均匀性等).分析了不同衬底、不同生长源配比、生长源与衬底的不同接触时间等生长条件参数对GaSb量子点生长的影响.研究表明在GaAs衬底上、富镓生长源配比以及较短的生长源和衬底接触时间下更易获得高质量的GaSb量子点.上述生长条件的摸索和研究对于GaSb量子点器件应用具有重要意义.
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关键词云
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文献信息
篇名 GaSb量子点液相外延生长
来源期刊 红外与毫米波学报 学科 物理学
关键词 GaSb量子点 二类量子点结构 液相外延,原子力显微镜
年,卷(期) 2013,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 220-224
页数 5页 分类号 O47
字数 3852字 语种 中文
DOI 10.3724/SP.J.1010.2013.00220
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研究主题发展历程
节点文献
GaSb量子点
二类量子点结构
液相外延,原子力显微镜
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
红外与毫米波学报
双月刊
1001-9014
31-1577/TN
大16开
上海市玉田路500号
4-335
1982
chi
出版文献量(篇)
2620
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3
总被引数(次)
28003
论文1v1指导