利用MOVPE选区外延生长InGaAsP

• 作者: 周帆 王圩 董杰 邱伟彬
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 选区外延 MOVPE InGaAsP 表面尖角 Ⅴ/Ⅲ比
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 342-346
• 页数: 5页
• 分类号: TN722
• 字数: 702字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.04.002

摘要

研究了利用低压MOVPE宽条(15μm)选区外延生长InGaAsP的性质.研究了生长速率、厚度增强因子、带隙调制、组分调制随着生长条件如掩模宽度、生长压力、Ⅲ族源流量的变化规律,给出了合理的解释.同时研究了不同Ⅴ/Ⅲ比下选择性生长InGaAsP表面尖角的性质.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董杰	中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心	26	129	7.0	10.0
2	王圩	中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心	47	124	6.0	7.0
3	邱伟彬	中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心	6	5	1.0	2.0
4	周帆	中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心	28	59	4.0	5.0