MBE生长的InAs1-xSbx外延层Eg和x测量

• 作者: 吴仲墀 罗振华 邱绍雄
• 来源期刊: 华东师范大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 2D半导体 自由载流子面密度 禁带宽度
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 页码范围: 50-55
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.07
• 字数: 1811字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5641.2001.04.007

摘要

MBE生长的外延三元化合物材料InAs1-xSbx/AlSb/GaAs 等是研制红外光通讯探测器的重要材料,准确检测这些半导体的禁带宽度Eg和组份x是个重要课题.该文简要地提出与本研究有关的二维(2D)体系态密度D2D和自由载流子面密度等物理量的数学表达式并采用变温Van der-Pauw-Hall实验对上述半导体样品进行测试,分别用2D和3D体系的理论对实验数据进行分析处理,实验结果表明:2D理论得出的Eg和x比3D理论处理有明显改善,2D理论更适合于上述外延材料以及类似的多元外延的材料的测试分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗振华	华东师范大学物理系	4	6	1.0	2.0
2	吴仲墀	复旦大学物理系	2	1	1.0	1.0
3	邱绍雄	复旦大学物理系	1	0	0.0	0.0