制备大面积组分均匀的InP/In0.81Ga0.19As/InP器件结构材料

• 作者: 傅军 宁亚媛 张铁民 符运良 缪国庆
• 来源期刊: 海南师范大学学报：自然科学版
• 学科: 物理学
• 关键词: 铟镓砷 金属有机化学气相沉积 红外探测器
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 基础理论与应用研究
• 页码范围: 279-282
• 页数: 4页
• 分类号: O471.4
• 字数: 1895字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-4942.2012.03.010

摘要

采用金属有机化学气相淀积（MOCVD）技术制备大面积组分均匀的高晶格失配InP/In0.81Ga0.19As/InP器件结构材料．器件结构为：在直径为2英寸的S掺杂的InP衬底上采用两步生长法生长厚度为2．8μm的In0.81Ga0.19As层，作为红外探测器的吸收层，然后再生长厚度为0．8μm的InP覆盖层．分析器件结构材料的缓冲层的作用，研究所制备的大面积材料组分均匀性问题．为制作红外探测器器件，以及研究红外探测器器件性能，做好基础工作．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	符运良	海南师范大学物理与电子工程学院	55	136	5.0	9.0
2	傅军	海南师范大学物理与电子工程学院	44	137	6.0	10.0
3	缪国庆	中国科学院发光学及应用国家重点实验室	15	45	4.0	5.0
4	张铁民	海南师范大学物理与电子工程学院	29	73	4.0	7.0