MOCVD-InAs/GaSb DBR结构材料的特性研究

• 作者: 宋航 缪国庆 蒋红 金亿鑫
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: MOCVD 分布布喇格反射镜 反射率
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 页码范围: 1030-1034
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 3312字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.012

摘要

本研究采用MOCVD技术在GaSb衬底上制备InAs与GaSb交替生长层构成的分布布喇格反射镜(DBR)材料.由于InAs与GaSb材料晶格匹配良好,且折射率差较大,因此用这两种材料交替生长构成的DBR结构,在较低生长周期时即可获得较高的反射率.将其引入共振腔增强型红外探测器结构,做为共振腔的腔体,将大大改善器件性能,实现红外光的高灵敏度室温探测.根据多膜增反原理,膜层反射率随膜层周期增加而增加,理论计算结果显示InAs/GaSb DBR结构工作波长为2.4μm,周期为22时,膜层反射率即可高于80.11%.我们用扫描电子显微镜,X-ray射线衍射,反射光谱测量等分析手段,对InAs/GaSb DBR结构材料的物理性能进行表征.结果表明,我们已经成功获得高质量的晶格匹配的InAs、GaSb单晶薄膜,以及InAs/GaSb交替生长组成的不同周期的DBR结构材料.反射光谱测量显示,InAs/GaSb DBR反射率随膜层周期数增加而增加,当InAs/GaSb DBR周期数为22时,其反射率约为44.27%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	缪国庆	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室	15	45	4.0	5.0
2	金亿鑫	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室	12	54	5.0	6.0
3	蒋红	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室	13	45	4.0	5.0
4	宋航	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室	15	37	4.0	5.0