(111)方向的InAs/GaSb超晶格材料电子结构的杂化泛函计算

• 作者: 周孝好 姚路驰 陈效双
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 第一性原理方法 杂化泛函 Ⅱ类超晶格 能带计算
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 页码范围: 646-651
• 页数: 6页
• 分类号: TN213
• 字数: 1045字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2016.06.002

摘要

采用电子密度泛函理论方法计算了一系列(111)方向的InAs/GaSb超晶格的电子结构和能带结构.将杂化泛函的计算结果与普通密度泛函方法的计算结果进行了比较.Heyd-Scuseria-Ernzerhof (HSE)杂化与对固体修正的Perdew-Burke-Ernzerhof (PBE)近似结合的杂化泛函显示了较传统PBE方法和若干其他杂化泛函更符合实验数据的结果.采用该方法研究了InAs/GaSb超晶格的带隙随超晶格周期厚度以及InAs/GaSb比例变化的规律.其结果与以往实验结果符合很好.这些结果表明HSE-PBEsol方法对于估计InAs/GaSb超晶格的电子性质适用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈效双	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	53	271	8.0	12.0
2	周孝好	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	9	44	4.0	6.0
3	姚路驰	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	1	0	0.0	0.0