第一原理研究界面弛豫对InAs/GaSb超晶格界面结构、能带结构和光学性质的影响

• 作者: 孙伟峰 郑晓霞
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一原理 InAs/GaSb超晶格 广义梯度近似 能带结构
• 年，卷（期）: 2012,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 461-470
• 分类号: O471.5
• 语种: 中文

摘要

通过广义梯度近似的第一原理全电子相对论计算,研究了不同界面类型InAs/GaSb超晶格的界面结构、电子和光吸收特性.由于四原子界面的复杂性和低对称性,通过对InAs/GaSb超晶格进行电子总能量和应力最小化来确定弛豫界面的结构参数.计算了InSb,GaAs型界面和非特殊界面（二者交替）超晶格的能带结构和光吸收谱,考察了超晶格界面层原子发生弛豫的影响.为了证实能带结构的计算结果,用局域密度近似和Hartree-Fock泛函的平面波方法进行了计算.对不同界面类型InAs/GaSb超晶格的能带结构计算结果进行了比较,发现界面Sb原子的化学键和离子性对InAs/GaSb超晶格的界面结构、能带结构和光学特性起着至关重要的作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑晓霞	黑龙江工程学院计算机科学与技术系	20	62	5.0	7.0