DBR对不同波长AlGaInPLED芯片发光强度的影响

• 作者: 张强 李明山 王智勇 许并社 马淑芳
• 来源期刊: 太原理工大学学报
• 关键词: 金属有机物化学气相沉积 铝镓铟磷 发光二极管 分布式布拉格反射镜 发光强度 反射率
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 页码范围: 148-152
• 页数: 5页
• 分类号: TN312.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.16355/j.cnki.issn1007-9432tyut.2015.02.004

摘要

利用MOCVD方法，在GaAs衬底上生长了不同DBR结构的红光和黄绿光AlGaInP四元外延片，并通过芯片工艺制成芯片。使用X‐射线衍射仪（HRXRD）、光致发光仪（PL）、芯片光电测试仪等表征了外延片和芯片的性能，研究了红光和黄绿光AlGaInP四元外延片的发光强度与DBR结构的关系。结果表明，红光AlGaInP LED 芯片的发光强度高于黄绿光，其主要原因是黄绿光有源区的内量子效率低和黄绿光DBR具有较小的反射率，从而导致较低的发光强度。本研究为今后L ED全结构的芯片亮度研究打下良好基础。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许并社	太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室	335	3432	28.0	45.0
2	张强	太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室	23	27	3.0	4.0
3	王智勇	北京工业大学激光工程研究院	122	775	14.0	21.0
4	马淑芳	太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室	14	132	4.0	11.0
8	李明山	太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室	2	2	1.0	1.0