立方相AlxGa1-xN/GaAs(100)的MOCVD外延生长

• 作者: 冯志宏 徐大鹏 杨辉 段俐宏 王海 赵德刚
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD 立方相AlGaN 光致发光 扫描电镜 低值氧化物
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 161-164
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2099字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.02.010

摘要

利用MOCVD生长技术在GaAs(100)衬底上生长了高质量的立方相AlGaN薄膜.通过光致发光 (PL)、扫描电镜(SEM)分析了不同NH3流量、不同生长温度对AlGaN外延层的结晶质量和表面形貌的影响.发现相对高的NH3流量和相对高的生长温度可以提高AlGaN外延层的结晶质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨辉	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	179	2701	25.0	46.0
2	王海	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	36	1036	9.0	32.0
3	赵德刚	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	42	214	9.0	12.0
4	徐大鹏	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	11	77	4.0	8.0
5	冯志宏	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	4	7	1.0	2.0
6	段俐宏	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	2	0	0.0	0.0