利用AlxGa1-xN在Si(111)上生长无裂纹GaN

• 作者: 张锴 李涛 王丹丹 王振晓 韩孟序
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD Si(111) GaN 双晶X射线衍射
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 光电·材料
• 页码范围: 115-116,120
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.1
• 字数: 1040字
• 语种: 中文

摘要

利用LP-MOCVD技术在Si(111)衬底上,用不同A1组分的A1GaN做缓冲层,再在缓冲层上生长GaN薄膜,采用XRD技术和原子力显微镜(AFM)分析样品知,样品整体的结晶质量良好.通过分析外延层的拉曼谱得出GaN中存在应力,而且是张应力,通过计算得出,应力为0.23 GPa.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李涛	西安电子科技大学宽带隙半导体技术国家重点学科实验室	38	274	9.0	15.0
2	王振晓	西安电子科技大学宽带隙半导体技术国家重点学科实验室	2	1	1.0	1.0
3	张锴	西安电子科技大学宽带隙半导体技术国家重点学科实验室	3	3	1.0	1.0
4	王丹丹	西安电子科技大学宽带隙半导体技术国家重点学科实验室	5	6	2.0	2.0
5	韩孟序	西安电子科技大学宽带隙半导体技术国家重点学科实验室	4	4	1.0	1.0