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摘要:
利用LP-MOCVD技术在Si(111)衬底上,用不同A1组分的A1GaN做缓冲层,再在缓冲层上生长GaN薄膜,采用XRD技术和原子力显微镜(AFM)分析样品知,样品整体的结晶质量良好.通过分析外延层的拉曼谱得出GaN中存在应力,而且是张应力,通过计算得出,应力为0.23 GPa.
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关键词云
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文献信息
篇名 利用AlxGa1-xN在Si(111)上生长无裂纹GaN
来源期刊 电子科技 学科 工学
关键词 MOCVD Si(111) GaN 双晶X射线衍射
年,卷(期) 2014,(1) 所属期刊栏目 光电·材料
研究方向 页码范围 115-116,120
页数 3页 分类号 TN304.1
字数 1040字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李涛 西安电子科技大学宽带隙半导体技术国家重点学科实验室 38 274 9.0 15.0
2 王振晓 西安电子科技大学宽带隙半导体技术国家重点学科实验室 2 1 1.0 1.0
3 张锴 西安电子科技大学宽带隙半导体技术国家重点学科实验室 3 3 1.0 1.0
4 王丹丹 西安电子科技大学宽带隙半导体技术国家重点学科实验室 5 6 2.0 2.0
5 韩孟序 西安电子科技大学宽带隙半导体技术国家重点学科实验室 4 4 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
MOCVD
Si(111)
GaN
双晶X射线衍射
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子科技
月刊
1007-7820
61-1291/TN
大16开
西安电子科技大学
1987
chi
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