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利用AlxGa1-xN在Si(111)上生长无裂纹GaN
利用AlxGa1-xN在Si(111)上生长无裂纹GaN
作者:
张锴
李涛
王丹丹
王振晓
韩孟序
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
MOCVD
Si(111)
GaN
双晶X射线衍射
摘要:
利用LP-MOCVD技术在Si(111)衬底上,用不同A1组分的A1GaN做缓冲层,再在缓冲层上生长GaN薄膜,采用XRD技术和原子力显微镜(AFM)分析样品知,样品整体的结晶质量良好.通过分析外延层的拉曼谱得出GaN中存在应力,而且是张应力,通过计算得出,应力为0.23 GPa.
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文献信息
篇名
利用AlxGa1-xN在Si(111)上生长无裂纹GaN
来源期刊
电子科技
学科
工学
关键词
MOCVD
Si(111)
GaN
双晶X射线衍射
年,卷(期)
2014,(1)
所属期刊栏目
光电·材料
研究方向
页码范围
115-116,120
页数
3页
分类号
TN304.1
字数
1040字
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
李涛
西安电子科技大学宽带隙半导体技术国家重点学科实验室
38
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9.0
15.0
2
王振晓
西安电子科技大学宽带隙半导体技术国家重点学科实验室
2
1
1.0
1.0
3
张锴
西安电子科技大学宽带隙半导体技术国家重点学科实验室
3
3
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4
王丹丹
西安电子科技大学宽带隙半导体技术国家重点学科实验室
5
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韩孟序
西安电子科技大学宽带隙半导体技术国家重点学科实验室
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研究主题发展历程
节点文献
MOCVD
Si(111)
GaN
双晶X射线衍射
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子科技
主办单位:
西安电子科技大学
出版周期:
月刊
ISSN:
1007-7820
CN:
61-1291/TN
开本:
大16开
出版地:
西安电子科技大学
邮发代号:
创刊时间:
1987
语种:
chi
出版文献量(篇)
9344
总下载数(次)
32
总被引数(次)
31437
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