界面极化效应对AlxGa1-xN/GaN异质结pin探测器光电响应的影响

• 作者: 周建军 姬小利 张荣 江若琏 谢自立 郑有炓 韩平
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 极化效应 AlGaN/GaN异质结 pin探测器
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 947-950
• 页数: 4页
• 分类号: O472+.8
• 字数: 3664字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.06.025

摘要

设计了正面入射的探测波长范围限制在326～365nm的AlxGa1-xN/GaN异质结pin光电探测器.利用自洽求解薛定谔-泊松方程计算了AlxGa1-xN/GaN异质结在无极化、完全极化和部分极化的能带图,结合光电响应谱的模拟,分析了界面极化效应对AlxGa1-xN/GaN异质结pin紫外光电探测器响应特性的影响并提出了改善方法.