基于MOCVD生长的高Al组分AlxGa1-xN的HRXRD研究

• 作者: 周小伟 李培咸 杜阳 白俊春
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD AlxGa1-xN HRXRD 位错 晶格常数
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 光电·材料
• 页码范围: 69-71,77
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1
• 字数: 2305字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7820.2009.05.022

摘要

通过MOCVD设备,在c面蓝宝石衬底上异质外延了不同Al组分含量的Alx,Ga1-xN材料,生长过程中采用了低温缓冲层技术、脉冲原子外延技术(PALE)和多层超晶格缓冲技术,例如AlGaN/AlN SLs结构,成功得到了表面光滑无裂纹的AlxGa1-xN膜.并且通过HRXRD对材料进行了多个晶面方向上的摇摆曲线和20～ω表征测试,在此测试基础上时材料的Al组分、α轴和c轴的晶格常数以及位错密度进行了相应的计算,并定性的分析了材料的应变状态.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜阳	西安电子科技大学技术物理学院	2	13	2.0	2.0
2	李培咸	西安电子科技大学技术物理学院	36	324	10.0	17.0
3	周小伟	西安电子科技大学微电子学院	8	31	3.0	5.0
4	白俊春	西安电子科技大学技术物理学院	3	15	2.0	3.0