MOCVD生长InxGa1-Xn薄膜的表征

• 作者: 俞慧强 修向前 刘成祥 刘斌 张禹 张荣 施毅 李亮 毕朝霞 谢自力 郑有炓 陈琳 韩平 顾书林
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: MOCVD InxGa1-xN 薄膜 缓冲层
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 页码范围: 1118-1121
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2495字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.028

摘要

本文利用MOCVD方法在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同生工艺条件下的InxGa-xN薄膜的制备,并通过XRD、SEM、AFM等测量分析方法系统研究了生长工艺参数对InxGa1-xN薄膜的组分和性质的影响.InxGa1-xN薄膜的制备包括蓝宝石衬底表面上GaN缓冲层的生长以及缓冲层上InxGa1-xN薄膜的沉积两个过程.通过对所制备InxGa1-xN薄膜的XRD、SEM、AFM分析发现,调节生长温度和TMGa的流量可以有效控制InxGa1-xN薄膜中In的组分,并且随着生长温度的升高,InxGa1-xN薄膜的表面缺陷减少.