InxGa1-xN合金薄膜In的表面分凝现象

• 作者: 刘成祥 刘斌 叶建东 周建军 张禹 张荣 文博 施毅 李亮 江若琏 王荣华 符凯 谢自力 郑有炓 陈敦军 韩平 顾书林
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: InxGa1-xN合金薄膜 表面分凝 Ⅴ/Ⅲ比
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 97-100
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+6
• 字数: 2558字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.023

摘要

用MOCVD方法在α-Al2O3(0001)衬底上外延生长了InxGa1-xN合金薄膜.测量结果显示:所制备的InxGa1-xN样品中In的组分随外延生长温度而改变,生长温度由620℃升高到740℃,In的组分由0.72降低到0.27.这是由于衬底温度越高,In进入InxGa1-xN薄膜而成键的效率越低.样品的X射线衍射谱和X射线光电子能谱均显示:在生长温度为620℃和690℃时所生长的InxGa1-xN样品中均存在明显的In的表面分凝现象;而生长温度升至740℃时所得到的InxGa1-xN样品中,In的表面分凝现象得到了有效抑制.保持生长温度不变而将反应气体的Ⅴ/Ⅲ比从14000增加到38000,In的表面分凝现象也明显减弱.由此可以认为,较高的生长温度使得In原子的表面迁移能力增强,In原子从InxGa1-xN表面解吸附的几率增大,而较高的Ⅴ/Ⅲ比则能增加N与In成键几率,从而有利于抑制In的表面分凝.