单结InxGa1-xN太阳电池特性的研究

• 作者: 张富春 阮兴祥
• 来源期刊: 电源技术
• 学科: 工学
• 关键词: p层厚度 In掺杂 InxGa1-xN太阳电池 光电特性
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 120-122
• 页数: 3页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 1699字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-087X.2019.01.034

摘要

采用第一性原理和电子连续方程方法,研究了p层厚度和In的掺杂浓度对单结InxGa1-xN太阳电池性能的影响.计算结果表明:p层厚度从0.05 μm增加到0.07 μm,In01Ga0.9N电池的转换效率缓慢增大;当p层厚度从0.07 μm逐渐增大到0.25 μm时,太阳电池的转换效率逐渐减小.当In掺杂浓度在0.5～0.7范围内逐渐增大时,短路电流密度逐渐增大,开路电压逐渐减小.当In的掺杂浓度为0.63时,转换效率达到最大,为19.80％,填充因子为0.82.因此,通过调节p层厚度和改变In掺杂浓度的方法可以提高单结InxGa1-xN太阳电池的光电特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张富春	延安大学物理与电子信息学院	94	391	10.0	17.0
2	阮兴祥	广西民族师范学院物理与电子工程学院	9	2	1.0	1.0