纤锌矿InxGa1-xN/GaN量子阱中的界面声子模

• 作者: 危书义 张芳 李伟 赵旭 黄文登
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 物理学
• 关键词: InxGa1-xN/GaN 界面声子 量子阱
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 336-342
• 页数: 7页
• 分类号: O471.4|O471.3
• 字数: 4621字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2006.04.009

摘要

采用赝原胞模型计算讨论纤锌矿InxGa1-xN混晶性质;基于宏观介电连续模型的传递矩阵方法研究任意层纤锌矿量子阱中的界面声子, 得出任意层纤锌矿量子阱中的界面声子的本征模解和单量子阱的色散关系,并对InxGa1-xN/GaN单量子阱界面声子的色散关系进行了数值计算和讨论.结果表明,纤锌矿InxGa1-xN混晶中的E1声子和A1声子都表现为单模行为;在对称非应变单量子阱GaN/InxGa1-xN/GaN中,界面声子频率随x的变化呈线性关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李伟	河南师范大学物理与信息工程学院	118	359	9.0	12.0
2	危书义	河南师范大学物理与信息工程学院	37	99	5.0	7.0
3	黄文登	河南师范大学物理与信息工程学院	4	32	3.0	4.0
4	赵旭	河南师范大学物理与信息工程学院	9	32	3.0	5.0
5	张芳	河南师范大学物理与信息工程学院	4	37	3.0	4.0