纤锌矿InxGal-xN/GaN量子阱中的界面声子-电子相互作用

• 作者: 危书义 张芳 李伟
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN/InxGa1-xN/GaN 界面声子-电子相互作用 量子阱
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 43-47
• 页数: 5页
• 分类号: O471.4
• 字数: 2783字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2008.01.010

摘要

在介电连续模型下,运用传递矩阵的方法研究了任意层纤锌矿量子阱中界面光学声子的电声相互作用,得出了任意层纤锌矿量子阱中界面光学声子与电子相互作用的哈密顿.结果表明,在对称单量子阱GaN/InxGal-xN/GaN中,界面声子-电子相互作用的耦合强度随组分x的变化差别很大;在对称单量子阱GaN/In0.8Ga0.2N/GaN中,不同的界面声子随着波数的变化对电声相互作用的贡献不同.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	危书义	河南师范大学物理与信息工程学院	37	99	5.0	7.0
2	张芳	平顶山学院物理系	16	18	2.0	2.0
3	李伟	乎顶山工学院数理系	1	1	1.0	1.0