GaN基量子阱结构的界面光学声子及其电声相互作用性质的研究

• 作者: 王瑞 黄文登
• 来源期刊: 高师理科学刊
• 学科: 物理学
• 关键词: 光学声子 电声相互作用 量子结构
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 页码范围: 36-41
• 页数: 6页
• 分类号: O471.1
• 字数: 4281字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-9831.2020.05.009

摘要

GaN基量子阱结构在光电子领域具有较为重要的应用前景,理解其物理性质是加快应用的关键之一.研究了GaN基量子阱结构的光学声子特性及其电声相互性质,给出了GaN基量子阱结构中光学声子及其电声相互作用的基本理论,分析了影响界面光学声子的频率和电声耦合强度的相关因素,并对纤锌矿Al0.8Ga0.2N/GaN/Al0.8Ga0.2N,GaN/In0.8Ga0.2N/GaN对称单量子阱的界面光学声子及其电声相互作用的电声耦合强度进行了数值计算.结果表明,界面光学声子在长波区域色散较为明显,电声耦合强度在小波矢区域内最强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王瑞	陕西理工大学物理与电信工程学院	6	5	1.0	2.0
2	黄文登	陕西理工大学物理与电信工程学院	19	35	3.0	5.0