MOCVD生长InxGa1-xN合金微观结构和光学特性

• 作者: 竹有章 苑进社 陈光德
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InGaN MOCVD AFM 发光谱 激发谱
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 页码范围: 318-324
• 页数: 7页
• 分类号: O472.3|O482.31
• 字数: 1615字
• 语种: 中文

摘要

利用发光光谱、X射线衍射(XRD)、原子力显微(AFM)等实验方法对MOCVD生长的InxGa1-xN合金进行了研究.原子力显微图样表明样品表面出现纳米尺度为微岛状结构.样品PL和PLE谱表明,其主要吸收峰位于波长为365,474 nm,发光峰的位置位于波长为545,493 nm处,其中545 nm发光峰半高宽较493 nm发光峰宽,这两个峰分别起源于In(Ga)N浸润层和InGaN层发光,浸润层局域化激子和岛状微观结构弛豫特性是产生发光峰Stokes移动的重要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	竹有章	西安交通大学应用物理系	22	113	6.0	9.0
3	陈光德	西安交通大学应用物理系	65	517	13.0	18.0
4	苑进社	西安交通大学应用物理系	11	129	5.0	11.0