4H-SiC雪崩光电探测器中倍增层参数的优化模拟

• 作者: 吴正云 林伯金 洪荣墩 蔡加法 钟林瑛 陈厦平
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光电子学 4H-SiC APD 光谱响应 探测率
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 半导体光电
• 页码范围: 742-747
• 分类号: TN312+.7
• 字数: 3962字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2011.06.017

摘要

应用ATLAS模拟软件,设计了吸收层与倍增层分离的(SAM)4H-SiC雪崩光电探测器(APD)结构.分析了不同外延层厚度和掺杂浓度对器件光谱响应的影响,对倍增层参数进行优化模拟,得出倍增层的最优化厚度为0.26 μm,掺杂浓度为9.0×1017 cm-3.模拟分析了该APD的反向IV特性、光增益、不同偏压下的光谱响应和探测率等,结果显示该APD在较低的击穿电压-66.4 V下可获得较高的倍增因子105；在0V偏压下峰值响应波长(250 nm)处的响应度为0.11A/W,相应的量子效率为58％；临近击穿电压时,紫外可见比仍可达1.5×103；其归一化探测率最大可达1.5×1016 cmHz1/2W-1.结果显示该APD具有较好的紫外探测性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡加法	厦门大学物理系	27	107	6.0	8.0
3	钟林瑛	厦门大学物理系	2	3	1.0	1.0
4	洪荣墩	厦门大学物理系	4	5	2.0	2.0
8	林伯金	厦门大学物理系	1	3	1.0	1.0
11	陈厦平	厦门大学物理系	12	59	5.0	7.0