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摘要:
硅基雪崩光电探测器(Si-APD)性能参数的研究可以优化改进器件结构的设计,而结构设计直接影响雪崩光电探测器的光电特性。本文针对Si基雪崩光电探测器的性能参数和器件结构进行研究,提出了改善器件性能参数的工艺方法,最终设计了一种硅基雪崩光电探测器结构。
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文献信息
篇名 一种硅基雪崩光电探测器的研究
来源期刊 数字技术与应用 学科 工学
关键词 硅基雪崩光电二极管 性能参数 结构设计
年,卷(期) 2014,(1) 所属期刊栏目 应用研究
研究方向 页码范围 60-60,65
页数 2页 分类号 TN219
字数 1388字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨虹 重庆邮电大学光电工程学院 106 285 8.0 10.0
2 徐佳 重庆邮电大学光电工程学院 2 7 1.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
硅基雪崩光电二极管
性能参数
结构设计
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
数字技术与应用
月刊
1007-9416
12-1369/TN
16开
天津市
6-251
1983
chi
出版文献量(篇)
20434
总下载数(次)
106
总被引数(次)
35701
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