4H-SiC钒离子注入层的特性

• 作者: 张义门 张玉明 王超
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 半绝缘 钒离子注入
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 120-123
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 1431字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.029

摘要

研究了钒注入4H-SiC形成半绝缘层的方法和特性,注入层的离子浓度分布由蒙特卡罗分析软件TRIM模拟提取.采用一种台面结构进行I-V测试.钒注入层的电阻率与4H-SiC层的初始导电类型关系很大,常温下钒注入p型和n型SiC的电阻率分别为1.2×109～1.6×1010 Ω·cm和2.0×106～7.6×106 Ω·cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	126	777	15.0	20.0
3	王超	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	43	424	12.0	19.0