N+多晶硅栅薄膜全耗尽SOI CMOS器件与电路的研究

• 作者: 杨荣 海潮和 赵洪辰 连军 韩郑生
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: SOI SIMOX 全耗尽 CMOS
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 页码范围: 69-71
• 页数: 3页
• 分类号: TN386|TN405
• 字数: 1614字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2004.01.018

摘要

选用SIMOX(Separation by Implantation of Oxygen)衬底材料,对全耗尽SOI CMOS工艺进行了研究,开发出了N+多晶硅栅全耗尽SOI CMOS器件及电路工艺,获得了性能良好的器件和电路.nMOS和pMOS的驱动电流都比较大,且泄漏电流很小,在工作电压为3 V时,1.2μm101级环振的单级延迟仅为50.5 ps.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	海潮和	中国科学院微电子研究所	72	277	9.0	13.0
2	连军	中国科学院微电子研究所	6	15	3.0	3.0
3	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
4	赵洪辰	中国科学院微电子研究所	10	29	4.0	5.0
5	杨荣	中国科学院微电子研究所	16	118	5.0	10.0