SiC欧姆接触特性

• 作者: 刘增基 尚韬 杨银堂 王平 郭立新
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC 欧姆接触 二次离子质谱
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 页码范围: 38-41
• 分类号: TN304.0
• 字数: 3039字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2011.04.007

摘要

通过离子注入外延层实现高浓度掺杂和直接采用高掺杂外延层两种方法分别制备了4H-SiC欧姆接触,对应退火条件分别为( 950℃,Ar,30 min)和(1000℃,N2,2 rain).采用传输线法测试得到的比接触电阻分别为1.359×10-5Ω.cm2和3.44×10-6 Ω ·cm2.二次离子质谱分析表明,高温退火过程中镍硅化合物和TiC的形成有利于欧姆接触特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭立新	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	188	1461	19.0	27.0
2	杨银堂	西安电子科技大学综合业务网理论及关键技术国家重点实验室	420	2932	23.0	32.0
6	王平	西安电子科技大学综合业务网理论及关键技术国家重点实验室	32	201	9.0	12.0
10	尚韬	西安电子科技大学综合业务网理论及关键技术国家重点实验室	9	27	3.0	4.0