Nickel/6H-SiC欧姆接触机理研究

• 作者: 吴健 袁菁 马瑶 龚敏
• 来源期刊: 四川大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 欧姆接触 Ni2Si 石墨 热处理
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 633-637
• 页数: 5页
• 分类号: O472+.1|O485
• 字数: 1900字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0490-6756.2007.03.037

摘要

通过XPS和XRD对500℃和950℃热处理后Nickel/6H-SiC接触层中C,O,Ni和Si元素的价电荷态进行了深入的研究.结果表明,950°热处理后转化为Ni2Si的合金相对实现好的欧姆接触起主要作用.在合金层中残留有大量的C原子,并且以石墨结构的C-C键结合形式存在.但实验中没有观察到石墨结构的纳米晶或晶体结构的石墨C层存在.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龚敏	四川大学物理科学与技术学院微电子学系	109	372	10.0	12.0
5	吴健	四川大学物理科学与技术学院微电子学系	5	45	3.0	5.0
6	袁菁		1	1	1.0	1.0
7	马瑶		2	3	1.0	1.0