氢氟酸刻蚀对Ni/6H-SiC接触性质的作用

• 作者: 严成锋 张静玉 施尔畏 肖兵 陈之战 陈博源 黄维
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 欧姆接触 SiC 富碳层 互扩散
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3443-3447
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.05.089

摘要

℃快速退火后,也得到了良好线性的I-V曲线.X射线衍射(XRD)和俄歇能谱(AES)深度元素分析表明Ni2Si和C是快速退火后的主要产物.XRD和低能反射电子能量损失谱表明表层的C元素是以非晶态存在.通过研究高温快速退火下元素的互扩散及HF与SiC表层反应机理,发现SiC表面富碳层是这两种方法形成欧姆接触的关键因素.