Ce掺杂6H-SiC电子结构和光学性质的第一性原理研究

• 作者: 吴波 周庭艳 曾丽娟 熊中刚 邹江
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理 掺杂 6H-SiC 电子结构 光学性质
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 267-271
• 页数: 5页
• 分类号: O734
• 字数: 2748字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2020.02.017

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,对未掺杂及Ce掺杂6H-SiC的电子结构和光学性质进行理论计算.计算结果表明,未掺杂6H-SiC是间接带隙半导体,其禁带宽度为2.045 eV,掺杂Ce元素,带隙宽度下降为0.812 eV.未掺杂6H-SiC在价带的低能区,Si-3s、C-2s电子轨道对态密度的贡献较大,在价带的高能区,主要是由Si-3p、Si-3s、C-2p态组成.掺杂后Ce原子的4f轨道主要贡献在导带部分,掺杂后电导率提高.未掺杂时,只有一个介电峰,是价带电子跃迁到导带电子所致,掺杂后有两个介电峰,第一个介电峰是由于导带电子跃迁到Ce原子4f轨道上产生,第二个峰是价带电子向导带电子跃迁产生.未掺杂6H-SiC,在能量为10.31 eV处吸收系数达到最大值,掺杂后在能量为6.57 eV处,吸收系数达到最大值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴波	遵义师范学院物理与电子科学学院	35	60	4.0	5.0
2	周庭艳	遵义师范学院物理与电子科学学院	7	8	2.0	2.0
3	邹江	遵义师范学院物理与电子科学学院	11	16	3.0	3.0
4	曾丽娟	遵义师范学院物理与电子科学学院	8	2	1.0	1.0
5	熊中刚		13	6	2.0	2.0