La掺杂3 C-SiC电子结构和光学性质的第一性原理研究

• 作者: 吴波 周婷艳 曾丽娟 熊中刚 王立 邹江
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理 掺杂 3C-SiC 电子结构 光学性质
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 1031-1036
• 页数: 6页
• 分类号: O734
• 字数: 3629字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2019.06.023

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,对未掺杂及稀土材料La掺杂3C-SiC的电子结构和光学性质进行理论计算.计算结果表明,La掺杂引起3C-SiC晶格体积增大,掺杂体系能量更小,掺杂体系的结构更稳定;未掺杂3C-SiC是直接带隙半导体,其禁带宽度为1.406 eV,La掺杂后带隙宽度下降为1.161 eV,La掺杂3C-SiC引入了3条杂质能级,能量较高的1条杂质能级与费米能级发生交叠,另外2条杂质能级都在费米能级以下价带顶之上,La掺杂引起3C-SiC吸收谱往低能区移动,未掺杂3C-SiC的静态介电常数为2.66,La掺杂引起静态介电常数增加为406.01,La掺杂3C-SiC是负介电半导体材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴波	遵义师范学院物理与电子科学学院	35	60	4.0	5.0
2	王立	贵州大学大数据与信息工程学院	9	6	2.0	2.0
3	邹江	遵义师范学院物理与电子科学学院	11	16	3.0	3.0
4	曾丽娟	遵义师范学院物理与电子科学学院	8	2	1.0	1.0
5	熊中刚		13	6	2.0	2.0
6	周婷艳	遵义师范学院物理与电子科学学院	1	1	1.0	1.0