3 C-SiC表面电子结构及光学性质的第一性原理计算

• 作者: 岑伟富 廖杨芳 范梦慧 蔡勋明 谢晶 谢泉
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 3C-SiC 表面 电子结构 光学性质 第一性原理
• 年，卷（期）: 2018,（7）
• 页码范围: 1346-1352
• 页数: 7页
• 分类号: TN383+.1
• 字数: 3430字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2018.07.010

摘要

采用第一性原理对3C-SiC块体和3C-SiC(111)、(110)和(100)三个表面的电子结构和光学性质进行理论计算.计算结果表明:3C-SiC块体是带隙为1.44 eV的G-M间接带隙半导体,3C-SiC(111)表面是带隙为2.05 eV的M-G间接带隙半导体,3C-SiC(110)表面形成带隙值为0.87 eV的直接带隙半导体;3C-SiC(100)表面转变为导体.由光学性质分析得到,与3C-SiC块体比较,3C-SiC(100)、(110)、(111)表面的介电函数,吸收谱,反射谱,能量损失函数等均出现红移.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢泉	贵州大学大数据与信息工程学院	133	486	12.0	17.0
2	范梦慧	贵州大学大数据与信息工程学院	23	34	3.0	4.0
4	蔡勋明	贵州民族大学机械电子工程学院	14	18	2.0	4.0
5	岑伟富	贵州民族大学机械电子工程学院	23	27	3.0	4.0
6	廖杨芳	贵州大学大数据与信息工程学院	7	3	1.0	1.0
9	谢晶	贵州大学大数据与信息工程学院	5	0	0.0	0.0