B、N单掺杂3C-SiC电子结构和光学性质的第一性原理研究

• 作者: 张晋敏 李鑫 杨云飞 范梦慧
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 3C-SiC 掺杂 电子结构 光学性质 第一性原理
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 1187-1192
• 页数: 6页
• 分类号: O734|O738
• 字数: 3512字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2017.06.032

摘要

采用第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,计算了未掺杂与B、N单掺杂3C-SiC的电子结构和光学性质.结果表明:掺杂改变了3C-SiC费米面附近的电子结构;B掺杂使得禁带宽度减小,价带顶上移,费米能级进入价带,形成p型半导体;N掺杂使得禁带宽度减小,导带底下移,费米能级进入导带,形成n型半导体.B、N掺杂均提高了3C-SiC在低能区的折射率、消光系数和吸收系数,增强了对红外光谱的吸收.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张晋敏	贵州大学大数据与信息工程学院贵州大学新型光电子材料与技术研究所	47	261	7.0	15.0
2	杨云飞	贵州大学大数据与信息工程学院贵州大学新型光电子材料与技术研究所	4	6	1.0	2.0
3	范梦慧	贵州大学大数据与信息工程学院贵州大学新型光电子材料与技术研究所	12	16	3.0	3.0
4	李鑫	贵州大学大数据与信息工程学院贵州大学新型光电子材料与技术研究所	19	48	3.0	6.0