掺氮3C-SiC电子结构的第一性原理研究

• 作者: 丁瑞雪 刘红霞 宋久旭 杨银堂 柴常春
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 掺氮 3C-SiC 电子结构 第一性原理计算
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 页码范围: 87-91
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+4
• 字数: 2113字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2008.01.016

摘要

采用广义梯度近似方案处理电子间相互作用的交换关联能量泛函,电子波函数采用平面波基矢展开,并采用超软赝势近似离子实与价电子间相互作用,对掺氮(3×3×3)3C-SiC超晶胞电子结构进行了第一性原理研究.对不同掺氮浓度3C-SiC超晶胞的能带结构和态密度进行计算,结果表明氮原子的2p态和2s态分别占据价带顶和导带底,随着掺杂浓度的增加,导带底和价带顶的位置逐渐向低能端移动,导带底移动速度要大于价带顶,导致禁带宽度减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	420	2932	23.0	32.0
2	柴常春	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	80	592	15.0	19.0
3	丁瑞雪	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	8	61	5.0	7.0
4	刘红霞	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	6	65	4.0	6.0
5	宋久旭	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	5	47	4.0	5.0