Ar气氛下退火处理对6H-SiC晶片表面结构的影响

• 作者: 严成锋 刘熙 姜涛 施尔畏 杨建华 陈建军
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 6H-SiC 退火 AFM 台阶结构
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 页码范围: 865-868
• 页数: 4页
• 分类号: O771
• 字数: 2219字
• 语种: 中文

摘要

本文对物理气相传输法生长的三片2英寸掺氮6H-SiC晶片,分别在不同温度下进行退火处理.采用原子力显微镜(AFM)对SiC晶片表面结构进行表征,研究了不同温度和偏角度对SiC晶片表面结构的影响.发现Ar气氛下高温退火处理可以在晶片表面形成规则的台阶条纹,说明Ar气氛下的高温退火处理对SiC晶片表面有一定的刻蚀作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨建华	中国科学院上海硅酸盐研究所	41	367	10.0	18.0
2	施尔畏	中国科学院上海硅酸盐研究所	71	1736	25.0	41.0
3	陈建军	中国科学院上海硅酸盐研究所	38	446	13.0	20.0
4	严成锋	中国科学院上海硅酸盐研究所	11	73	5.0	8.0
5	姜涛	中国科学院上海硅酸盐研究所	19	160	8.0	12.0
9	刘熙	中国科学院上海硅酸盐研究所	7	9	2.0	2.0