N型Ni基SiC欧姆接触比接触电阻的精确求解

• 作者: 冯倩 张义门 张玉明 汤晓燕 郭辉
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 欧姆接触 比接触电阻 直接隧穿 WKB近似
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 页码范围: 842-845
• 页数: 4页
• 分类号: TN405
• 字数: 2430字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2008.05.015

摘要

精确求解一维定态薛定谔方程得到电子通过三角形势垒的隧穿几率,用其代替WKB近似计算的隧穿几率精确提取比接触电阻.针对N型Ni基SiC欧姆接触的实验结果进行了计算比较,结果表明采用该方法提取的比接触电阻比采用WKB近似计算的传统方法更加精确和符合实际情况.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	126	777	15.0	20.0
3	冯倩	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	35	224	7.0	13.0
4	汤晓燕	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	24	144	7.0	11.0
5	郭辉	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	21	161	9.0	12.0