n型SiC的Ni基欧姆接触中C空位作用的实验证明

• 作者: 张义门 张玉明 郭辉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Ni 欧姆接触 SiC C空位 P+离子注入
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 5-9
• 页数: 5页
• 分类号: TN405
• 字数: 1981字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.01.002

摘要

通过在Si面p型4H-SiC外延层上使用P+离子注入来形成n阱.Ti和Ni依次淀积在有源区的表面,金属化退火后的XRD分析结果表明Ni2Si是主要的合金相.XEDS的结果表明在Ni2Si/SiC界面处存在一层无定型C.去除Ni2Si合金相与无定型C之后重新淀积金属,不经退火即可形成欧姆接触.同时,注入层的方块电阻Rsh从975下降到438Ω/□.结果表明,合金化退火过程中形成了起施主作用的C空位(VC).C空位提高了有效载流子浓度并对最终形成欧姆接触起到了重要作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料重点实验室	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料重点实验室	126	777	15.0	20.0
3	郭辉	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料重点实验室	21	161	9.0	12.0