Ti/Al/Ni/Au与n型GaN的欧姆接触研究

• 作者: 丁晓民 于彤军 张国义 杨志坚 秦志新 童玉珍 胡晓东 陈志忠
• 来源期刊: 高技术通讯
• 学科: 化学
• 关键词: n型GaN 欧姆接触 电流-电压(I-V)特性 传输线法(TLM) 两步合金法
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 新材料技术
• 页码范围: 36-39
• 页数: 4页
• 分类号: O6
• 字数: 2484字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-0470.2004.02.009

摘要

通过电流-电压(I-V)特性和传输线方法(TLM)测量研究在n型GaN上淀积Ti/Al/Ni/Au电极形成欧姆接触的机制.Ni/Au作为Ti/Al的覆盖层起了阻止Ti,Al,Au的互扩散及抗接触层氧化的作用.在400℃到900℃范围内,Ti/Al/Ni/Au与n型GaN的接触电阻随温度升高先略有上升,到500℃以后单调下降.而表面形貌却在合金温度高于600℃以后随温度升高逐步变差.通过两步合金法得到了n-GaN上Ti/Al/Ni/Au形成的接触电阻低达9.65×10-7Ωcm2.最后还对两步合金法形成n-GaN欧姆接触的机制进行了讨论.