p型GaN材料上的欧姆接触

• 作者: 刘炜 成彩晶 赵鸿燕
• 来源期刊: 航空兵器
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 欧姆接触 接触电阻率
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 红外与激光技术
• 页码范围: 52-53,56
• 页数: 3页
• 分类号: TJ760.4|TN215
• 字数: 1681字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-5048.2006.05.014

摘要

实现欧姆接触是获得高性能GaN探测器的基本要求之一.p型GaN上优良的欧姆接触比n型GaN上的难于实现.本文介绍了利用金属 Au、Cr/Au在p型GaN材料上做了接触性能研究,通过退火等实验获得了较理想的欧姆接触,测试后计算出Au、Cr/Au与 p型GaN材料间的接触电阻率分别为7.88×10-2 Ω·cm2 和1.94×10-2 Ω·cm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵鸿燕		25	147	7.0	11.0
2	成彩晶		12	22	3.0	3.0
3	刘炜		5	11	3.0	3.0